IGBT依旧火热,中国厂商有望受益

根据DIGITIMES Research,全球功率半导体市场将继续增长,主要受电动汽车、电动汽车充电器、工业电机、光伏和风电领域的推动。DIGITIMES Research指出,在功率半导体中,碳化硅MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的增长潜力最大。

本文来自半导体产业纵横。

“乱世”出英雄。

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根据DIGITIMES Research,全球功率半导体市场将继续增长,主要受电动汽车、电动汽车充电器、工业电机、光伏和风电领域的推动。DIGITIMES Research指出,在功率半导体中,碳化硅MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的增长潜力最大。

根据Yole的数据,截至2021年,全球41.7%的功率半导体产品是MOSFET,而30.7%是IGBT。尽管碳化硅和氮化镓等化合物半导体受到越来越多的关注,但它们在2021年仅占功率半导体市场的4.3%。

迄今为止,IDM仍然主导着IGBT行业,因为IDM模式使功率半导体公司能够基于技术、客户和资本构建属于公司的“护城河”,从而提高该行业的进入壁垒。以车用IGBT为例,英飞凌、安森美、意法半导体、赛米控、三菱电机等IDM仍是主要供应商。尽管不排除超额预订的可能性,但这些IDM已经报告了一直到2023年的订单全部订满。

随着全球芯片短缺的情况基本缓解,汽车半导体行业是个例外。IGBT尤其是短缺的主要元件之一。在中国半导体制造商积极扩产的推动下,加上宏观经济下行风险持续存在,预计IGBT短缺将在2023年下半年逐渐缓解。

迁移到300mm晶圆成为趋势

与逻辑IC产业相比,IGBT产品的采用者更关注稳定性和可靠性,而不是性能。因此,价值主要集中在IGBT供应链的制造和封装环节。

在确定的众多IGBT行业趋势中,DIGITIMES Research观察到IGBT生产正在从200mm晶圆转向300mm晶圆,同时封装材料也在升级。目前预估2022年IGBT产能,200mm晶圆占总产能的49.8%,300mm晶圆占6.8%。然而,到2027年,300毫米晶圆将增长到占全球IGBT产能的18.2%,而200毫米晶圆的份额也将增长到54.5%。

与此同时,持续的汽车芯片短缺促使中国汽车制造商减少对进口芯片的依赖,转向比亚迪半导体、杭州士兰微电子、星能半导体、株洲中车时代电气和华润微电子等国内供应商。

根据DIGITIMES Research的数据,这一趋势为中国IGBT制造商赋能。例如,2021-22年间,株洲中车时代电气和华润微电子预计基于200mm晶圆的IGBT平均产量分别增长135%和160%。2022-2023年间,各自的增长率预计将达到34%和77%。据估计,比亚迪半导体的一条200mm晶圆生产线在2022-2023年间平均IGBT产量将增长483%。

就纯晶圆代工厂而言,据估计,总部位于青岛的芯恩集成电路在2022年至2023年间基于200毫米晶圆的IGBT平均产量将增长306%。中芯国际绍兴晶圆厂基于200mm晶圆的IGBT平均产量在2021-2022年间增长了330%,预计2022-2023年间的增长率为77%。

2022年,国产IGBT扩产年

市场需求与供应的缺口,让国内IGBT厂商都将扩产计划提上日程。

今年9月,时代电气宣布将投资111.2亿元用于中低压功率器件产业化(宜兴)一期与中低压功率器件产业化(株洲)的两个建设项目。宜兴的建设项目投资约58.26亿元,达产后可新增年产36万片8英寸中低压组件基材产能(基建及公共设施具备72万片/年产能),产品主要用于新能源汽车领域。

时代电气株洲的建设项目投资约52.93亿元,达产后可新增年产36万片8英寸中低压组件基材产能,产品主要应用于新能源发电及工控、家电领域。并且时代电气将投资4.6亿元把现有4英寸碳化硅芯片年1万片产能提升至6英寸碳化硅芯片年2.5万片。

比亚迪半导体同样也有扩产计划。其宁波半导体现有6英寸硅基晶圆线未来将改造为6英寸碳化硅晶圆线,时间预计等到济南晶圆线产能爬坡完成后再进行。济南比亚迪半导体产能爬坡节奏则是,预计自2022年1月月产0.8万片至2022年12月月产2.2万片,2022年全年产量将达到20万片;预计2023年3月实现满产,产能3万片/月。

10月,士兰微发布公告表示士兰明镓碳化硅功率器件生产线已实现初步通线,首个碳化硅器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸碳化硅芯片的生产能力。

闻泰科技12月12日表示,位于上海临港的12英寸功率半导体自动化晶圆制造中心项目,目前已完成设备搬入并通线,计划于2023年第一季度逐步投产。

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