明年存储,令人忧心

在2024年下半年,存储行业再度步入下行周期,其价格后续的发展态势引发了广泛关注。至2025年,存储价格究竟会走向何方?是延续下行趋势,还是触底反弹?这一系列问题已然成为业界内外聚焦的核心。

本文来自微信公众号“半导体产业纵横”,【作者】丰宁。

存储价格,时涨时落。

在2024年下半年,存储行业再度步入下行周期,其价格后续的发展态势引发了广泛关注。至2025年,存储价格究竟会走向何方?是延续下行趋势,还是触底反弹?这一系列问题已然成为业界内外聚焦的核心。

无论是存储行业从业者、相关产业链上下游企业,还是关注科技领域动态的普通消费者,均在密切关注2025年存储价格的走势。

本文依据市场当下的发展情形,综合部分行业专家与机构的见解,对2025年存储行业的发展走向予以预测。

01 上半年,DRAM市况或难反转

价格走势分析

首先看DRAM的价格走势,根据市场研究公司DRAMeXchange在12月8日的数据显示,截至11月底,通用PC DRAM产品(DDR48Gb1Gx8)的平均固定交易价格为1.35美元,较7月份的2.1美元下跌了35.7%。

Kiwoom证券研究员ParkYoo-ak表示:“预计今年年底和明年初DRAM价格将大幅下跌,幅度将超过预期。由于中国内存公司以低价销售产品,DRAM供应增长率将超过需求增长率,这种情况将持续到明年第二季度。”

具体到产品,目前制程较成熟的DDR4和LPDDR4X产品已开始降价,DDR5和LPDDR5X等先进制程产品的价格目前相对稳健。

关于2025年存储芯片的价格预测,TrendForce表示,2025年DRAM价格将转为下跌,上半年的跌幅较明显,其中,DDR4和LPDDR4X的降价压力将持续大于DDR5与LPDDR5X。

总的来看,TrendForce与Kiwoom的观点基本一致,都指向了:明年上半年,DRAM市场或许没有太多好消息。

减产还是扩产?

再看存储巨头的产能与资本开支情况,如今由于消费电子市场复苏不及预期,包括三星、SK海力士等存储龙头开始酝酿减产以应对变化,这其中就包含DRAM产品,不过不同类型的存储产品相应的减产策略也不同。

和价格走势相对应,在DRAM产品领域,市场也呈现出一种鲜明的分化态势:一方面,DDR4等传统DRAM产品的生产比重正逐渐缩减,面临着减产的压力;另一方面,针对人工智能存储需求而设计的先进DRAM产品则保持着稳步增产的态势。

日前,三星设备解决方案(DS)副总裁KimJae-joon表示,公司正下调通用DRAM与NAND存储产品的产量,以符合逐渐下滑的市场需求。三星预计将减少以DDR4为主的产能,把部分DDR4产能转移至DDR5、LPDDR5以及HBM等先进产品的生产上。

SK海力士方面,业内人士透露,SK海力士将降低其DDR4 DRAM芯片产能。今年第三季度SK海力士DDR4的生产比重已从第二季度的40%降至30%,第四季度更计划进一步降至20%,并将把有限产能转向人工智能用存储产品及先进DRAM产品。对此消息,SK海力士并未进行回应。

02 NAND价格恢复,也要等到明年下半年

价格走势分析

再看NAND的价格走势,根据市场调研机构DramExchange发布的数据显示,通用NAND固定价格自去年10月起连续5个月上涨后,从今年3月开始平稳,9月转为下跌趋势。9月至11月,NAND价格环比分别下降11.44%、29.18%和29.8%,8月时4.9美元的价格已降至2.16美元,今年通用NAND价格已下跌超过50%,跌至2015年8月以来的最低点。

TrendForce预计2024年第四季度整体NAND Flash合约价格将下降3-8%。至于明年的价格走势想必也不会太乐观,一方面NAND Flash市场表现不佳,另一方面其获利能力本不及DRAM,因此明年或许会有部分产品线从NAND Flash转向DRAM。

TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋预测,2024年第四季度闪存价格将同比下降8%,2025年第一季度会再下降10%,消费端闪存价格2025年下半年有望反弹回升。

高端NAND闪存市场的表现态势要优于整体市场的平均水平,这在一定程度上能够缓解明年第一季度市场所面临的供应过剩压力。在NAND市场,AI驱动的大容量SSD需求成为了市场复苏的关键。2025年,30TB和60TB的高容量SSD因其低能耗和高效的存储能力,正迅速替代传统的机械硬盘。这促使NAND供应商更加关注QLC技术,以提高存储密度并降低成本。

再看产能与投资情况

目前,主要的3D NAND制造商(铠侠、美光、三星和SK海力士)都在考虑减少非易失性存储器的产量,并减少对扩建额外闪存容量的投资。

三星在最新的财报电话会议中表示,公司无意在第四季度减少NAND产量,但将根据市场情况灵活调整。据悉,三星电子已逐步开始对中国西安的NAND闪存工厂生产线旧设备进行销售,预计出售过程将于2025年正式开始,其中大部分是100层3D NAND设备。

铠侠也在计划减少第四季度的NAND产量,以避免产能过剩问题。不过,铠侠表示为应对生成性AI浪潮需求,铠侠将于2025年大规模生产第八代NAND设备,并准备投产最先进存储产品。

03 HBM,一直很火

HBM市场所呈现的景象,则与传统的DRAM产品截然不同。

随着AI芯片技术的不断迭代升级,单一芯片所能搭载的HBM容量正显著增长,2025年HBM的出货量预计将同比增长70%。

TrendForce预期2025年HBM在DRAM市场的渗透率将逐步提升,预估2025年第四季度时,HBM渗透率约达10%,HBM3E颗粒预计占2025年HBM的85%。东兴证券研报预估2025年HBM将贡献10%的DRAM总产出,较2024年增长一倍。

作为一种创新的3D堆叠DRAM技术,它通过将多层DRAM芯片垂直堆叠,使用高带宽的串行接口与GPU或CPU直接相连,从而提供超过DRAM的带宽和容量。

前文提及的各大存储巨头正在积极扩产高端DRAM,也是为应对HBM与DDR5 DRAM的需求。

此外,从HBM产品类型的发展趋势来看,未来HBM市场也将发生显著变化。比如,由于英伟达自Blackwell GPU开始,新产品会逐步转往12层HBM3e,明年HBM3e将取代HBM3成主流产品。由于HBM3e平均售价(ASP)大约是传统DRAM产品的3-5倍,随着HBM3e产能的持续扩张,营收贡献将逐季增长。

到2025年,HBM3e仍可能面临供应紧张的局面。

产能与投资情况

SK海力士和美光都曾表示,2024年HBM产能已经全部售罄,2025年产能也已经基本分配完成;SK海力士还表示订单能见度可达2026年一季度。自2024年第二季度开始,就有多家存储原厂为应对互联网巨头们的急单需求,开始将DDR4产能切换至HBM上。

目前,三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂(P1L、P2L和P3L),以便用于DDR5和HBM。同时,华城工厂(13/15/17号生产线)正在升级到1α工艺,仅保留1y/1z工艺的一小部分产能,以满足航空航天等特殊行业的需求。

SK海力士以南韩利川市M16产线生产HBM,并着手将M14产线升级为1α/1β制程,以供应DDR5和HBM产品。此外,无锡厂目前正积极将制程由1y/1z升级到1z/1α,分别用于生产DDR4及DDR5产品。

美光的HBM前段在日本广岛厂生产,产能预计2024年第四季提升至2.5万颗;长期将引入EUV制程(1γ、1δ),并建置全新无尘室。

在SK海力士、三星、美光三巨头的大力推动下,2025年HBM芯片每月总产能为54万颗,相比较2024年增加27.6万颗,同比增长105%。

04 存储行业,走上分叉口

尽管自2024年第四季度起,存储行业再度陷入衰退周期,但综观2024年全年的整体状况,存储市场相较于其他赛道,其表现仍显得颇为强劲。

根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)数据显示,2024年半导体市场将强劲增长19%。然而,值得注意的是,这种增长势头仅集中于少数几个产品线。其中,存储市场预计将在2024年增长81%,逻辑芯片预计将增长16.9%。相比之下,微型产品线的增长则较为平缓,仅约3.9%,而分立器件、光电器件、传感器以及模拟器件等领域均将出现下滑。如果剔除存储器市场,那么在2024年,WSTS对其余半导体市场的预测增长率仅为5.8%。

不夸张的说,2024年的半导体行业,靠存储市场强撑。

2024年存储器的强劲表现也反映在了半导体公司的营收状况之上。相较与前一年同期,在2024年前三季度,三星存储和SK海力士的收入分别增长了109%,美光科技增长了78%,铠侠则增长了54%。

存储器市场能够实现如此强劲的增长,主要归因于AI应用领域对于存储器需求的持续攀升。在2024年,存储器价格呈现上涨趋势,尤其是DRAM产品。

众所周知,长期以来,存储器市场始终是半导体行业周期性波动的重要加剧因素。

下图是依据WSTS数据所绘制的图表,该图表呈现出了截至2023年半导体市场的年度变化状况,以及WSTS对2024年的预测情形。

该图表针对半导体总量、存储器市场以及剔除存储器后的半导体市场进行了比较分析。可以清晰地看到,存储器市场呈现出极为剧烈的波动,曾有高达102%的增长幅度以及49%的下滑幅度等极端情况出现,而与之形成鲜明对比的是,不包含存储器的市场则表现得较为平稳,其波动区间处于增长42%至下滑26%之间。

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可以看到,在过去的十年历程中,存储器市场的变化跨度极大,从2024年高达81%的增长2023年33%的下滑,反观不包括存储器的市场,其变化范围仅在增长25%至下滑2%之间波动。

在过去四十年,每当存储器市场增长率超过50%时,第二年都会出现增长显著放缓或下滑。在2024年之前,这种情况已经发生了六次,其中四次存储器市场在第二年出现了下滑。另外两次,市场在第二年虽然保持正增长,但增速明显放缓,并在达到峰值后的第二年出现下滑。这些趋势是由大宗商品产品的基本供需关系驱动的。当供不应求时,存储器价格和产量就会上升。当供过于求时,产量和价格就会下降。

因此,该机构预计内存市场将在2025年或2026年出现大幅下滑。

05 业内龙头,怎么看?

存储龙头的动向,也体现出明年存储行业的发展走势掺杂诸多消极情绪。

近日,三星电子与SK海力士相继调整了2024年第四季度的盈利预估,这一动态紧随美光科技发布的悲观业绩展望之后,共同揭示了整个存储芯片市场的疲软现状。

具体而言,三星电子宣布将本季度的营业利润预期从原先的9.77万亿韩元下调至8.58万亿韩元,减幅超过1万亿韩元。这一调整主要归因于智能手机、个人电脑等传统IT产品市场需求的持续萎缩,进而影响了其核心DRAM业务的盈利能力。

与此同时,SK海力士也更新了其业绩预测,尽管环比实现了10.59%的增长,预计第四季度营业利润将达到77742亿韩元,但与此前预测的81117亿韩元相比,仍下降了4.16%,显示出市场预期的小幅下调。

早前,美光科技发布的2025财年第一财季财报虽然表现尚可,但其对第二财季的业绩展望却远低于市场预期,这一消息直接导致公司股价在盘后交易中大幅下跌。如今,三星电子与SK海力士的业绩调整似乎进一步印证了美光对市场前景的悲观判断。

根据行业分析机构TrendForce的分析,美光科技在2月份的季度中前景同样不容乐观,预计传统DRAM和NAND的平均售价将在2025年第一季度继续下滑。这一预测无疑为整个DRAM行业的前景蒙上了一层阴影。

综合上述信息,可以看出,当前存储芯片市场正面临着严峻的挑战。未来,如何应对这一市场寒冬,将成为半导体行业巨头们亟待解决的问题。

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