本文来自微信公众号“半导体行业观察”。
尽管业内许多人称之为“半导体春天”，但三星电子和SK海力士并未恢复增产。截至5月20日，两家公司在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。
行业预期表明，随着半导体状况的改善，两家公司今年可能计划增加产量。然而，在今年第一季度的财报电话会议上，两家公司都微妙地表示“今年DRAM产量增长将受到限制”，表明他们将继续降低产量水平。
标准DRAM和NAND（不包括HBM）市场仍存在不确定性。随着11月美国大选即将到来，以及对华经济政策和贸易法规可能发生变化，业界仍保持谨慎态度。中东地缘政治紧张局势进一步加剧了这种不确定性。
上个月，PC中使用的标准8Gb DDR4 DRAM的平均固定交易价格比上个月上涨了约17%。然而，这种增长被视为暂时现象，而不是需求的真正复苏。美光在台湾的内存生产设施因上个月的地震而受到干扰，暂时增强了供应商的议价能力。相反，标准NAND（存储卡和USB、128Gb 16Gx8 MLC）的价格自3月份以来一直稳定，没有出现上涨。
市场研究公司TrendForce表示，受台湾地震影响，需求短暂激增，但由于PC厂商库存水平较高，预计第二季度PC DRAM整体采购量将大幅下降。
三星电子和SK海力士转而专注于扩大HBM产量，由于HBM对晶圆的要求更高，这本质上减少了标准内存的产量。在有限的产能范围内，增加HBM产量意味着标准内存产量的大幅减少。
根据《韩国经济日报》早前报导，为了满足需求，三星、SK海力士都已将超过20%的DRAM生产线改为生产HBM。这两家业者在Samsung Securities于5月9~10日主办的投资人关系会议上透露，基于上述原因，DRAM产出趋缓的步调将跟需求达成一致。
SK海力士执行长郭鲁正(Kwak Noh-Jung)甫于5月2日指出，随着AI科技跨入多种装置应用(例如智慧型手机、PC、汽车等)，今年旗下HBM产品已经完销，明年的HBM产量也几乎全部卖完。
一名SK高层对机构投资者表示，HBM签的是以年为基础的供应合约，这些合约载明了供应数量、付款方式及最后期限。他说，「以截至今年底的产能来计算，我们明年的全部产能已被预订光。」他表示，「HBM3跌价影响将获HBM3E涨价抵销。因此，毛利率有望维持不坠。」
三星一名投资者关系高层也表示，HBM产出已经售罄。「基于供需市况，预测2025年HBM不会供过于求。」这名三星高层并提到，自家8层堆叠HBM3E跟SK海力士的差距正在收敛，12层HBM3E则已取得领先。三星最快第二季就可开始生产12层HBM3E。
两家企业都乐观看待传统DRAM、固态硬盘(SSD)的价格展望。三星高层说，「我不认为今年DRAM报价将下滑；SSD需求加温是长期而非短期趋势。」
BusinessKorea 5月2日报导，第三代的「HBM3 DRAM」报价自2023年以来已飞涨超过5倍。对英伟达来说，关键元件HBM报价上升，势必会影响研发成本。
报导称，谣传英伟达刻意泄漏信息，引发现任与潜在供应商相互竞争，以期压低HBM价格。4月25日，SK集团董事长崔泰源(Chey Tae-won)匆匆前往矽谷跟黄仁勋会面，似乎跟这些策略有关。虽然过去一个多月来，英伟达一直在测试三星领先业界开发出的12层堆叠HBM3E，却迟未表明合作意愿。市场解读，这是一种策略，目标是激励三星电子。
值得注意的是，SK海力士已宣布跟台积电建立策略伙伴关系，目标是提升HBM及先进封装技术产能。
台湾市场研究公司TrendForce近日报告称，“三大DRAM公司正在增加先进工艺的晶圆投入。”
TrendForce进一步解释称，这些存储器公司下半年正在通过增加设备投资来扩大产能（CAPA）。他们预计，到年底，用于10纳米级第四代(1a)纳米以上工艺的晶圆将占DRAM晶圆投入总量的40%。
先进制程中预计有35%的晶圆将用于HBM生产。HBM的良率（即良品占总产量的比例）在50%到60%之间。此外，据TrendForce称，与传统DRAM相比，HBM需要的晶圆面积增加了60%，这解释了内存行业晶圆投入增加的原因。
该公司还预测，“剩余的晶圆CAPA将分配给低功耗双倍数据速率（LPDDR）5X和双倍数据速率（DDR）5产品。”
今年的主流HBM产品将是第五代HBM（HBM3E），出货量主要集中在下半年。TrendForce指出，“SK海力士正在与美光合作，采用1b工艺向Nvidia供应HBM3E，而三星电子则采用1a工艺，已于第二季度完成认证，并将于年中开始交付。”
TrendForce还提到，由于个人电脑、服务器和智能手机的内容容量不断增加，对先进制程CAPA的需求每个季度都在增加。具体来说，服务器，尤其是人工智能服务器，“显示出最高的CAPA增幅。”
内存旺季的到来预计也将带动DDR5和LPDDR5-5X DRAM的需求。DDR5 DRAM与Intel Sapphire Rapids、AMD Genoa等公司结合使用，预计到今年年底市场渗透率将超过50%。
然而，随着分配给HBM的晶圆比例增加，基于先进工艺的通用产品的生产可能会受到限制。TrendForce警告称：“随着HBM4的开发临近，如果不大力投资扩大CAPA，优先考虑HBM可能会因CAPA限制而导致DRAM供应短缺。”
下半年增加标准产品产量的可能性可能会变得可行。预计将发布多款智能手机，包括新款Galaxy可折叠手机和iPhone，这对移动行业（标准内存的关键应用领域）来说是重大事件。
