本文来自微信公众号“电子智造业”，作者/半导体器件应用网。
5月17日，国家发改委、国家能源局两部门联合发布《关于加快推进充电基础设施建设更好支持新能源汽车下乡和乡村振兴的实施意见》(以下简称“《意见》”)。
《意见》指出，创新农村地区充电基础设施建设运营维护模式，要加强公共充电基础设施布局建设；推进社区充电基础设施建设共享；加大充电网络建设运营支持力度；推广智能有序充电等新模式；提升充电基础设施运维服务体验。同时《意见》指出，支持农村地区购买使用新能源汽车，强化农村地区新能源汽车宣传服务管理。
值得关注的是，充电桩作为国家七大“新基建”领域之一，伴随新能源汽车保有量的高速增长，其配套基础设施亦实现了快速增长。根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟(EVCIPA)发布的数据，2022年1～12月，充电基础设施增量为259.3万台，其中公共充电桩增量同比上涨91.6%，随车配建私人充电桩增量持续上升，同比上升225.5%。截止2022年12月，全国充电基础设施累计数量为521.0万台，同比增加99.1%。
数据来源：中国电动汽车充电基础设施促进联盟(EVCIPA)、艾媒数据中心
与此同时，新能源汽车及其充电桩市场的高速增长带动了相应功率器件使用量的迅速增加。对于新能源汽车来说，为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，因此功率半导体含量也大大增加。相较于燃料汽车，电动汽车功率器件对工作电流和电压有更高要求。其中，逆变器中的IGBT模块、DC/DC中的高压MOSFET、辅助电器中的IGBT分立器件、OBC中的超级结MOSFET等方面的需求新增明显。
另外在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，通常充电桩采用的功率器件以高压MOSFET为主。因为超级结MOSFET拥有更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度，是主流的充电桩功率器件应用产品，可具体应用于充电桩的功率因数校正、DC/DC转换器以及辅助电源模块等。
此次意见工作的落实，将进一步推动充电桩基础设施建设和新能源汽车的市场范围。这也意味着车规级功率器件、高压MOSFET等将迎来更多的市场增量。
