根据TrendForce，Inc. DRAMeXchange研究部门的调查，DRAM市场已经从价格下降和出货量上升变为价格上升和出货量下降。
DRAM供应商能够成功减少20季度的库存，与年初相比，20季度末的库存水平更低。因此，供应商不再面临迫切削减价格的压力，整体DRAM均价季度增速约为0-5％。
但是，尽管政府通过在全市和全国范围内实施封锁政策来应对Covid-19大流行，但由此造成的物流中断也影响了DRAM位的出货量。
因此，尽管平均售价稍有上升，但全球DRAM收入环比下降4.6％，达到148亿美元。
20年1季度的积压订单将推迟至20年2季度。在20Q2，随着DRAM ASP的Q / Q增长幅度的扩大以及位出货量的反弹，TrendForce预测DRAM总收入的Q / Q增长超过20％。DRAM供应商预计将继续提高其收入和盈利能力。
DRAM ASP的小幅上涨有助于提高供应商的20年第一季度的盈利能力，因为与大流行相关的供应链中断导致位出货延迟，并且市场形势变为价格上涨和出货下降的状态，这三个主要的DRAM供应商三星，SK Hynix和美光在20年第一季度的收入分别收缩了3％，4％和约11％（美光的11％收缩是指其2019年12月至2020年2月的第二季度收入表现）。
就市场份额而言，三星，SK海力士和美光分别占据了44.1％，29.3％和20.8％的市场份额。由于供应商今年的产能计划没有任何重大变化，因此预计其市场份额在20年第二季度将基本保持不变。
总体DRAM ASP的Q / Q上升对供应商1Q20的盈利能力做出了积极贡献。
与20年1季度相比，三星在19年4季度具有相对较强的基准期，因为它能够收回与1X纳米工艺质量问题有关的冲销，并在此期间产生了可观的一次性收益。因此，尽管该公司公布其20年1季度营业利润率下降至32％，但其实际盈利能力一直在稳步提高。
SK海力士的营业利润率从上一季度的19％大幅提高至26％。
与两家韩国供应商的平均售价相比，美光在2FQ20的平均售价涨幅较小。美光还因其1Z-nm迁移而导致运营成本大幅上涨。因此，美光的营业利润率略有下降，但预计这家美国供应商的3FQ20（3月至5月）将取得可观的复苏。
3家主要供应商对产能计划保持谨慎，并进一步缩减资本支出。
在技术和生产方面，三星继续将其13号生产线的晶片处理能力从DRAM生产转移到CMOS图像传感器生产，但它打算开始在2H20的P2L进行DRAM生产，以补偿13号生产线晶圆输入的短缺，同时扩大1Z-nm生产在其输出中的份额。由于大流行严重削弱了整体需求，三星在计划上仍然保持保守。因此，它计划今年增加的生产能力非常有限。
SK海力士正逐步将其晶圆厂M10的晶圆处理能力转移至CMOS图像传感器，同时其主存储器工厂M14的DRAM生产正在提高。它还决定在2H20略微增加其无锡基地的晶圆生产量。尽管如此，今年它将主要通过向1Y-nm生产过渡来扩大产量，而不会增加整体生产能力。
美光的DRAM总产能与去年相比将保持相对稳定，因为2020年的大部分资本支出都已预算用于将其1Z纳米工艺进入批量生产阶段并提高产量。随着OEM厂商热衷于测试美光发送的样品，美光1Z-nm产品的批量生产有望很快实现。
总体而言，尽管流程开发和部署有所延迟，但排名前三的供应商在技术移植方面仍取得了良好的进展。他们中没有一个遇到严重的质量问题，可能会推迟时间表。预计今年DRAM总产能不会显示出显着增长，并且主要的DRAM供应商将继续拨回其资本支出。因此，2020年DRAM行业的位产量增长将主要由供应商的1Y-nm和1Z-nm迁移驱动，而不是晶圆开始量的增长。
台湾供应商将专注于先进工艺的开发和部署
。Nanya公布其20季度第一季度收入同比增长近10％，这是因为该公司能够将其位出货量提高两位数。由于有效控制研发成本，其营业利润率也从19年第四季度的11％反弹至20年第一季度的12.7％。此外，由于公司的平均售价将跟随整体市场趋势并继续攀升，因此预计公司第二季度的盈利能力将进一步提高。
华邦电子在20年1季度的季度DRAM收入与上一季度的数字相似，这是因为平均售价和位出货量没有重大的季度/季度变化。但是，同期华邦的NAND闪存收入录得显着增长。
力晶维持与DRAM相比更偏爱CMOS图像传感器的产品组合策略，因为在20年第一季度前者的需求一直很高。结果，力晶公司本季度的DRAM收入下滑了3％（力晶公司的收入计算涵盖了该公司自己品牌的，内部制造的PC DRAM产品的销售，不包括代工DRAM的订单）。
尽管这3家台湾供应商的收入表现各不相同，但他们都将专注于在2020年期间开发最先进的流程。
例如，南亚宣布不再使用美光许可的技术后，将重点放在内部1A-nm和1B-nm工艺的部署上。
同时，华邦正在努力提高其新的25nm工艺的良率，并使其存储器产品多样化。
至于Powerchip，它正在改善其25nm DDR4存储器产品的稳定性和兼容性。
