本文来自微信公众号“中国电子报”，作者/姬晓婷。
近日，多家半导体头部企业加速布局8英寸宽禁带半导体制造。5月9日，有消息称，联电加速布局8英寸晶圆宽禁带半导体制造，近期正大举购置新机台扩产，预计下半年进驻厂区。5月9日，半导体材料企业Soitec半导体公司发布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圆。4月25日，科锐旗下功率与射频部门Wolfspeed正式启用全球最大8英寸碳化硅晶圆厂。宽禁带半导体晶圆尺寸由6英寸向8英寸升级成为行业趋势。分析师称，这将有利于宽禁带半导体降低成本。
宽禁带半导体是半导体行业的热门领域。现阶段，宽禁带半导体制造仍以6英寸为主。6英寸宽禁带半导体制造产线成本相对较低，当前行业内多以IDM方式布局，代表企业有科锐、意法半导体、英飞凌、罗姆等功率半导体领域国际大企业。
而近期对宽禁带半导体从6英寸向8英寸转型表现出关注的企业，既包括以意法半导体为代表的国际老牌功率半导体IDM企业，又包括以英诺赛科为代表的专精于宽禁带半导体的国内新兴势力，还有以联电为代表的国际晶圆制造龙头企业。整个产业链对宽禁带半导体晶圆向8英寸转型的关注，将极大地加快产业升级进程。若产业链成功完成由6英寸向8英寸的升级，则宽禁带半导体的产能将大大提升。
业内分析师表示，近期产业链在宽禁带晶圆片向8英寸转型做出的一系列举动，将给宽禁带半导体产业带来两方面影响。
一方面，晶圆代工厂入局将推动宽禁带半导体制造环节格局变迁。
赛迪顾问集成电路产业研究中心总经理滕冉在接受《中国电子报》记者采访时表示，宽禁带半导体仍以IDM模式为主，科锐、意法半导体、英飞凌等为主要参与企业。现阶段，宽禁带半导体领域的代工企业较少。以硅基氮化镓为例，全球前5大晶圆代工厂中仅有台积电在该领域布局。近期联电加码，意味着宽禁带半导体也逐渐成为晶圆代工企业拓展布局的焦点。
另一方面，8英寸晶圆制造规模扩大，将有利于助推宽禁带半导体晶圆成本降低。
氮化镓与碳化硅是当前行业内应用最广的两种宽禁带半导体材料。其中，氮化镓以其高频率材料特点主要应用于消费电子快充产品，以及5G基站、新能源充电桩等对材料频率有较高需求的产品。碳化硅以其高功率材料特点成为新能源汽车、轨道交通、光伏等应用领域替代硅材料的关键材料。不论是氮化镓、碳化硅，还是砷化镓等其他宽禁带半导体材料，其材料性能均获得了业内认可。高材料价格是阻碍该材料行业应用的重要原因。
近日，代工企业与IDM企业加码8英寸制造，都将进一步扩大宽禁带半导体制造规模。“晶圆制造规模提升，将会提高上游晶片、原材料、设备的需求量，从而实现规模化生产的成本降低。”创道投资咨询总经理步日欣在接受《中国电子报》记者采访时表示，“联电扩产8英寸宽禁带半导体制造，意味着宽禁带半导体正在向着大规模、低成本方向演进。”
