本文来自微信公众号“镁客网”，【作者】jh。
三驾马车，越来越强？
手握遥遥领先的硬件支持，英伟达在AI时代已经是神一般的存在。而靠着AI赚钱的并不只有AI芯片公司，手握HBM技术的存储芯片三巨头也在今年大赚一笔。
据韩国媒体BusinessKorea报道，三星电子通过内部网络宣布，其设备解决方案（DS）部门的内存业务部门员工将获得相当于基本工资200%的下半年绩效奖金。
这笔名为“目标达成激励”（TAI）的奖金，将于近期发放，目的是激励并庆祝半导体部门在公司长期发展中取得的重要成就。
据报道称，内存业务部门绩效奖金的大幅提升，主要得益于半导体市场的复苏以及该部门业绩的快速好转。
有数据统计，去年三星内存业务部门亏损高达10万亿韩元，而今年将实现约20万亿韩元的的盈余，完成了彻底的翻身。也正是这一成绩，让DS部门获得了有史以来最高的TAI金额。
有意思的是，就在今年上半年，三星电子的半导体部门刚刚经历了一场“突袭式”的人事变动。在存储芯片领域工作多年的Jun Young Hyun（全永贤）接替了半导体业务的原负责人Kyung Kyehyun（庆桂显），成为三星电子新一任芯片主管。
要说DS部门之前有多惨，前面提到内存业务部去年亏损高达10万亿韩元，晶圆代工和系统LSI业务更是没拿到一分钱年终奖。
在面对股东们的尖锐问题时，庆桂显只能不断重复“会做得更好”。相比之下，三星电子另一大业务消费电子（设备体验（DX）部门）的高管们几乎没有收到任何提问。
当然，系统LSI和晶圆代工业务部其实今年的表现依然前景不太明朗，整个部门全靠着HBM产品硬撑。
在全永贤上任之后，三星半导体部门一个很明显的趋势就是将HBM芯片进行分割重点发展。
在此之前，三星是存储三巨头中唯一一家不向英伟达公司供货HBM芯片的企业。除了自身产品性能达不到英伟达的要求以外，最重要的因素还是三星电子内部没有未能及时建立HBM研发中心并整合相关研究人员，最终导致内存战略持续失策从而陷入不断亏损。
好消息是，HBM市场足够大，仅仅是供货HBM3芯片就已经让三星电子吃饱了AI红利。
根据美光最新一份财报提供的数据，在消费电子需求下降，以及中国供应商开始加大供货的背景下，内存价格在年中达到顶点之后，通用DRAM和NAND Flash的价格都在大幅下降。
而受益于HBM需求的激增，DRAM业务（包含HBM）最终还是帮助美光填平了下滑周期的“大坑”。
对于2025年的总市场情况，美光给出了300亿美元的预期，而目前能吃下这个市场的只有存储芯片三巨头，这也是为什么三星电子能在存储市场下跌周期里实现复苏的重要原因。
目前，SK海力士、三星、以及美光都在加速推进第六代HBM产品（HBM4）的开发，而第七代HBM产品HBM4E的开发同时提上了日程。
近日，美光就分享了最新的HBM4和HBM4E的开发情况。其中HBM4有望在2026年量产，HBM4E也会在2027年至2028年之间到来。除了提供更高的数据传输速度外，HBM4E还将采用可定制的基础芯片。
从研发进度上来看，除了三巨头以外，其他竞争对手都会在明年陷入库存调整的影响，一定程度上再度拉开了差距。
